eMOPA532-200 - 200 mW vihreä pulssilaser 532 nm:llä
eMOPA532-200 - 200 mW vihreä pulssilaser 532 nm:llä

eMOPA532-200 - 200 mW vihreä pulssilaser 532 nm:llä

200 mW vihreä pulssilaser eMOPA532-200, jossa > 130 kW huipputeho 532 nm:ssä - eMOPA-tuotesarja perustuu diodivalaistuun, passiivisesti laadunvalvottuun kiinteästä aineesta valmistettuun laseriin pääosilaattorina ja jälkikytkettyyn diodivalaistuun tehostimeen, jossa on patentoitu optinen muotoilu. Tälle sarjalle voidaan tuottaa aallonpituuksia DUV:sta vihreään spektrialueeseen: 213 nm, 266 nm, 355 nm ja 532 nm. eMOPA532-200 säteilee pulssit, joiden kesto on noin 1 ns ja pulssien energia 200 µJ. Keskimääräinen lähtöteho on 200 mW poikittaisessa yksimuototilassa aallonpituudella 532 nm ja pulssihuipputehoilla >130 kW. Toistotaajuus voidaan säätää yksittäisestä laukauksesta enintään 1 kHz:iin ulkoisella laukaisulla tai mukana toimitetulla ohjelmistolla. eMOPA on ihanteellinen 24/7 teolliseen käyttöön ja sitä käytetään erityisesti oftalmologiassa. Mukauttamalla laserit asiakkaidemme tarpeisiin on mahdollista laaja sovellusvalikoima, kuten fotoakustiikka ja oftalmologiset merkinnät. Käyttömahdollisuudet: Merkitseminen, kaiverrus, oftalmologia, fotoakustiikka, LIBS, massaspektrometria, fotoluminesenssi Aallonpituus: 532 nm Pulssien energia: 200 µJ Pulssihuipputeho: > 130 kW Pulssikesto: < 1 ns Keskimääräinen teho: 200 mW Toistotaajuus: Yksittäinen laukaus ... 1 kHz Sädehalkaisija: 0.5 mm Perusmuoto: TEM00
Vastaavat tuotteet
1/15
eMOPA355-100 - 100 mW DUV pulssilaser 355 nm:llä - 100 mW UV pulssilaser eMOPA355-100, jossa on > 80 kW huipputeho 355 nm:llä
eMOPA355-100 - 100 mW DUV pulssilaser 355 nm:llä - 100 mW UV pulssilaser eMOPA355-100, jossa on > 80 kW huipputeho 355 nm:llä
eMOPA-tuotesarja perustuu diodipumpattuun, passiivisesti laadunvalvottuun kiinteästä materiaalista valmistettuun laseriin, joka toimii pääosilaattorin...
DE-12459 Berlin
eMOPA266-40 - 40 mW DUV pulssilaser 266 nm:ssä - 40 mW DUV pulssilaser eMOPA213-20, jossa on >50 kW huipputeho 266 nm:ssä
eMOPA266-40 - 40 mW DUV pulssilaser 266 nm:ssä - 40 mW DUV pulssilaser eMOPA213-20, jossa on >50 kW huipputeho 266 nm:ssä
eMOPA-tuotesarja perustuu diodipumpattuun, passiivisesti laadunvalvottuun kiinteästate-laseriin pääosilaattorina ja sen jälkeen tulevaan diodipumpattu...
DE-12459 Berlin
MOPA532-700mW - 532 nm Laseri, jossa on 700 mW Teho - MOPA532-700mW - Pulssitettu 532 nm Laseri, jossa on 700 mW Keskimääräinen Teho
MOPA532-700mW - 532 nm Laseri, jossa on 700 mW Teho - MOPA532-700mW - Pulssitettu 532 nm Laseri, jossa on 700 mW Keskimääräinen Teho
Master-Oscillator Power Amplifier – lyhyesti MOPA – sarjamme sisältää DPSS-laserin lisäksi diodipumpatun tehovahvistimen. Korkea huippu- tai keskimäär...
DE-12459 Berlin
MOPA355-500mW - 355 nm Laseri, jossa on 500 mW Teho - MOPA355-500mW - Pulssitettu 355 nm Laseri, jossa on 500 mW Keskimääräinen Teho
MOPA355-500mW - 355 nm Laseri, jossa on 500 mW Teho - MOPA355-500mW - Pulssitettu 355 nm Laseri, jossa on 500 mW Keskimääräinen Teho
Master-Oscillator Power Amplifier -sarjamme, lyhyesti MOPA, sisältää DPSS-laserin lisäksi diodipumpatun tehovahvistimen. Korkea huippu- tai keskimäärä...
DE-12459 Berlin
eMOPA213-20 - 20 mW DUV pulssilaser 213 nm:llä - 20 mW DUV pulssilaser eMOPA213-20, jonka huipputeho on >30 kW 213 nm:llä
eMOPA213-20 - 20 mW DUV pulssilaser 213 nm:llä - 20 mW DUV pulssilaser eMOPA213-20, jonka huipputeho on >30 kW 213 nm:llä
eMOPA-tuotesarja perustuu diodipumpattuun, passiivisesti laadunvalvottuun kiinteästate-laseriin pääosilaattorina ja sen jälkeen tulevaan diodipumpattu...
DE-12459 Berlin
MOPA1064-2000mW - 1064 nm laser 2 W teho - MOPA1064-2000mW - pulssitettu 1064 nm laser 2 W keskimääräisellä teholla
MOPA1064-2000mW - 1064 nm laser 2 W teho - MOPA1064-2000mW - pulssitettu 1064 nm laser 2 W keskimääräisellä teholla
Master-Oscillator Power Amplifier -sarjamme, lyhyesti MOPA, sisältää DPSS-laserin lisäksi diodipumpatun tehovahvistimen. Korkea huippu- tai keskimäärä...
DE-12459 Berlin
FTSS355-Q4 - 355 nm Laser 42 µJ:lla 1 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 355 nm Laser 42 µJ:lla max. 1 kHz
FTSS355-Q4 - 355 nm Laser 42 µJ:lla 1 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 355 nm Laser 42 µJ:lla max. 1 kHz
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodipumpattuja kiinteästä materiaalista valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun...
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q3 - 532 nm laser 20 µJ, max. 2,5 kHz - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 20 µJ max. 2,5 kHz
FDSS532-Q3 - 532 nm laser 20 µJ, max. 2,5 kHz - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 20 µJ max. 2,5 kHz
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteästä aineesta valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Tämä ...
DE-12459 Berlin
FQSS213-Q3 - 213 nm laser 1.5 µJ, max. 2.5 kHz
FQSS213-Q3 - 213 nm laser 1.5 µJ, max. 2.5 kHz
Passiivisesti laadunohjattu 213 nm laser, jossa on 1,5 µJ ja maksimi toistotaajuus 2,5 kHz - CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodipumpattuja kiinteätilal...
DE-12459 Berlin
FTSS355-Q1 - 355 nm laser 0,3 µJ 20 kHz - Passiivisesti Q-kytketty 355 nm laser 0,3 µJ 20 kHz
FTSS355-Q1 - 355 nm laser 0,3 µJ 20 kHz - Passiivisesti Q-kytketty 355 nm laser 0,3 µJ 20 kHz
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteätilalaserita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
FQSS213-Q1 - 213 nm laser 0,05 µJ:lla 20 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 213 nm laser 0,05 µJ:lla 20 kHz:ssä
FQSS213-Q1 - 213 nm laser 0,05 µJ:lla 20 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 213 nm laser 0,05 µJ:lla 20 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodipumpattuja kiinteästä materiaalista valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun...
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q2 - 532 nm Laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm Laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä
FDSS532-Q2 - 532 nm Laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm Laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodipumpattuja kiinteästä materiaalista valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun...
DE-12459 Berlin
FTSS355-Q2 - 355 nm Laser 3 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 355 nm Laser 3 µJ:lla 10 kHz:ssä
FTSS355-Q2 - 355 nm Laser 3 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 355 nm Laser 3 µJ:lla 10 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodipumpattuja kiinteästä materiaalista valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun...
DE-12459 Berlin
DSS1064-Q1 - 1064 nm laser 10 µJ:lla 20 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 1064 nm laser 10 µJ:lla 20 kHz:ssä
DSS1064-Q1 - 1064 nm laser 10 µJ:lla 20 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 1064 nm laser 10 µJ:lla 20 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteästä materiaalista valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun.
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q1 - 532 nm laser 2 µJ:lla 20 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 2 µJ:lla 20 kHz:ssä
FDSS532-Q1 - 532 nm laser 2 µJ:lla 20 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 2 µJ:lla 20 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodipumpattuja kiinteästä materiaalista valmistettuja lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun...
DE-12459 Berlin