FQSS266-Q1 - 266 nm laser 0,3 µJ 20 kHz - Passiivinen Q-switch 266 nm laser 0,3 µJ 20 kHz
FQSS266-Q1 - 266 nm laser 0,3 µJ 20 kHz - Passiivinen Q-switch 266 nm laser 0,3 µJ 20 kHz

FQSS266-Q1 - 266 nm laser 0,3 µJ 20 kHz - Passiivinen Q-switch 266 nm laser 0,3 µJ 20 kHz

CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaattorista, jossa on suoraan kytketty tyydytettävä vaimennin, joka toimii passiivisena Q-kytkimenä. Kompakti kotelo ja yksinkertainen käyttö tekevät lasereista ihanteellisen valonlähteen sovelluksiin, jotka vaativat minimaalista kotelokokoa maksimaalisella suorituskyvyllä. 1064 nm perusvärähtelyn perusteella ei-lineaarinen optiikka (NLO-optiikka) tuottaa tämän perusvärähtelyn taajuusmoninkertaisia, kattaen laajan spektrin laserivärähtelyjä 1064 nm:stä 213 nm:iin. FQSS266-Q1-laser tuottaa pulssit, joiden pulssileveys on noin 1 ns 266 nm:llä, ja sitä voidaan moduloida yksittäisestä laukauksesta 20 kHz:iin. Pulssienergia on 0.3 µJ. CryLaS-laserit vaikuttavat yksinkertaisella asennuksellaan, huoltovapaalla toiminnallaan ja pitkällä käyttöiällään. Tämä tekee niistä ihanteellisia OEM-sovelluksiin ja vaativiin laboratorioasetelmiin. Aaltopituus: 266 nm Pulssienergia: 0.3 µJ Huipputeho: 0.3 kW Pulssin leveys: 1 ns Keskiteho: 4.5 mW Toistotaajuus: 20 kHz Säteen halkaisija: 0.8 mm Avaruusmoodi: TEM00 Sovellus: Holografia, kaiverrus, fotoakustiikka, LIBS, massaspektrometria, fotoluminesenssi
Vastaavat tuotteet
1/15
eMOPA266-40 - 40 mW DUV pulssilaser 266 nm:llä - 40 mW DUV pulssilaser eMOPA266-40, jonka huipputeho on >40 kW 266 nm:llä
eMOPA266-40 - 40 mW DUV pulssilaser 266 nm:llä - 40 mW DUV pulssilaser eMOPA266-40, jonka huipputeho on >40 kW 266 nm:llä
eMOPA-tuotesarja perustuu diodivetoiseen, passiivisesti Q-kytkettyyn kiinteätilalaserin pääoskillaatioon ja sen jälkeen tulevaan diodivetoiseen teho v...
DE-12459 Berlin
MOPA1064-2000mW: 2 W keskimääräinen teho 1064 nm:llä - MOPA1064-2000mW-laser 1064 nm:llä, jossa on 140 µJ ja enintään 20 000 Hz toistotaajuus
MOPA1064-2000mW: 2 W keskimääräinen teho 1064 nm:llä - MOPA1064-2000mW-laser 1064 nm:llä, jossa on 140 µJ ja enintään 20 000 Hz toistotaajuus
Mestarivärähtelijamme Teho-Vahvistin - lyhyesti MOPA - sarja sisältää diodivahvistimen lisäksi DPSS-laserin. Korkea huippu- tai keskimääräinen teho - ...
DE-12459 Berlin
MOPA355-500mW: 500 mW keskimääräinen teho 355 nm:llä - MOPA355-500mW laser 355 nm:llä, jossa on 25 µJ ja maks. 20 000 Hz toistotaajuus
MOPA355-500mW: 500 mW keskimääräinen teho 355 nm:llä - MOPA355-500mW laser 355 nm:llä, jossa on 25 µJ ja maks. 20 000 Hz toistotaajuus
Mestarivärähtelijamme Teho-Vahvistin - lyhyesti MOPA - sarja sisältää diodivahvistimen lisäksi DPSS-laserin. Korkea huippu- tai keskimääräinen teho - ...
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q1 - 532 nm laseri, jossa on 2 µJ 20 kHz:llä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laseri, jossa on 2 µJ 20 kHz:llä
FDSS532-Q1 - 532 nm laseri, jossa on 2 µJ 20 kHz:llä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laseri, jossa on 2 µJ 20 kHz:llä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
DSS1064-Q2 - 1064 nm laser 20 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 1064 nm laser 20 µJ:lla 10 kHz:ssä
DSS1064-Q2 - 1064 nm laser 20 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 1064 nm laser 20 µJ:lla 10 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q4 - 532 nm laser 42 µJ:lla 1 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 42 µJ:lla 1 kHz:ssä
FDSS532-Q4 - 532 nm laser 42 µJ:lla 1 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 42 µJ:lla 1 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
FQSS266-Q4 - 266 nm laser 12 µJ:lla 1 kHz:ssä - Passiivinen Q-switch 266 nm laser 12 µJ:lla 1 kHz:ssä
FQSS266-Q4 - 266 nm laser 12 µJ:lla 1 kHz:ssä - Passiivinen Q-switch 266 nm laser 12 µJ:lla 1 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
FTSS355-300 - 355 nm pulssilaser 300 µJ - Passiivinen Q-switch 355 nm laser, jossa 300 µJ pulssienergia enintään 20 Hz toistotaajuudella
FTSS355-300 - 355 nm pulssilaser 300 µJ - Passiivinen Q-switch 355 nm laser, jossa 300 µJ pulssienergia enintään 20 Hz toistotaajuudella
CryLaS High-Power -sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG...
DE-12459 Berlin
MOPA1064-650: 400 kW huipputeho 1064 nm:ssä - MOPA1064-650-laser 1064 nm:ssä, jossa on 650 µJ ja 400 kW huipputeho
MOPA1064-650: 400 kW huipputeho 1064 nm:ssä - MOPA1064-650-laser 1064 nm:ssä, jossa on 650 µJ ja 400 kW huipputeho
Mestarivärähtelijamme Teho-Vahvistin – lyhyesti MOPA – sarja sisältää diodivahvistimen lisäksi DPSS-laserin. Korkea huippu- tai keskimääräinen teho – ...
DE-12459 Berlin
FQCW266-1000 - 1 W cw-laser 266 nm:llä - DUV jatkuva aaltolaser FQCW266-1000, jossa on 1000 mW teho 266 nm aallonpituudella
FQCW266-1000 - 1 W cw-laser 266 nm:llä - DUV jatkuva aaltolaser FQCW266-1000, jossa on 1000 mW teho 266 nm aallonpituudella
DPSS-CW-DUV-laser FQCW266-1000 tuottaa 1000 mW:n lähtötehon yksimuototoiminnassa aallonpituudella 266 nm. Muita malleja korkeatehoisessa sarjassa on s...
DE-12459 Berlin
FQSS266-Q2 - 266 nm laseri, jossa on 0,8 µJ 10 kHz:llä - Passiivinen Q-switch 266 nm laseri, jossa on 0,8 µJ 10 kHz:llä
FQSS266-Q2 - 266 nm laseri, jossa on 0,8 µJ 10 kHz:llä - Passiivinen Q-switch 266 nm laseri, jossa on 0,8 µJ 10 kHz:llä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
eMOPA532-200 - 200 mW vihreä pulssilaser 532 nm:llä - 200 mW vihreä pulssilaser eMOPA532-200, jonka huipputeho on >130 kW 532 nm:llä
eMOPA532-200 - 200 mW vihreä pulssilaser 532 nm:llä - 200 mW vihreä pulssilaser eMOPA532-200, jonka huipputeho on >130 kW 532 nm:llä
eMOPA-tuotesarja perustuu diodivetoiseen, passiivisesti Q-kytkettyyn kiinteätilalaserin pääoskillattoriin ja alavirtaan sijoitettuun diodivetoiseen te...
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q3 - 532 nm laser 20 µJ, max. 2,5 kHz - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 20 µJ max. 2,5 kHz
FDSS532-Q3 - 532 nm laser 20 µJ, max. 2,5 kHz - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 20 µJ max. 2,5 kHz
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteätilalaserita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
FDSS532-Q2 - 532 nm laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä
FDSS532-Q2 - 532 nm laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä - Passiivisesti Q-kytketty 532 nm laser 6 µJ:lla 10 kHz:ssä
CryLaS Q-sarjan laserit ovat diodivetoisia kiinteitä lasereita (DPSS-laserit), jotka perustuvat mikrochip-suunnitteluun. Ne koostuvat Nd:YAG-resonaatt...
DE-12459 Berlin
eMOPA355-100 - 100 mW DUV pulssilaser 355 nm:llä - 100 mW UV pulssilaser eMOPA355-100, jonka huipputeho on >80 kW 355 nm:llä
eMOPA355-100 - 100 mW DUV pulssilaser 355 nm:llä - 100 mW UV pulssilaser eMOPA355-100, jonka huipputeho on >80 kW 355 nm:llä
eMOPA-tuotesarja perustuu diodivetoiseen, passiivisesti Q-kytkettyyn kiinteätilalaserin pääoskillattoriin ja sen jälkeen tulevaan diodivetoiseen tehos...
DE-12459 Berlin